4 月 28 日消息，韓媒 SE Daily 援引業(yè)界消息報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已制定了在第 7 代 10nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存工藝 1d nm 后即導(dǎo)入 VCT 垂直通道晶體管技術(shù)的路線圖，相關(guān)產(chǎn)品有望最早于 2~3 年內(nèi)面世。
據(jù)悉三星電子在 1d nm 后的下代 DRAM 工藝上曾考慮過(guò) 1e nm 和 VCT DRAM 兩種選擇，最終選擇了有望“改變游戲規(guī)則”的后者，并將 1e nm 先行研究組織合并到 1d nm 團(tuán)隊(duì)中以推進(jìn) 1d nm 的開(kāi)發(fā)。
報(bào)道指出，VCT DRAM 固然可通過(guò)對(duì)三維空間的有效利用大幅度提升存儲(chǔ)密度，但這一技術(shù)也面臨著巨大的開(kāi)發(fā)難度：一方面，其需要跨越傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的壁壘；另一方面，該類型內(nèi)存需要未在現(xiàn)有 DRAM 中應(yīng)用的先進(jìn)封裝工藝。
另一方面，報(bào)道還稱三星電子在 DRAM 業(yè)務(wù)中的最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士目前的大致規(guī)劃是 1d nm -> 0a nm -> VG DRAM